化学机械平坦化

化学机械平坦化 (CMP) 是一种抛光工艺，用于为半导体行业制造晶圆。它需要使用抛光工具和抛光浆料，这些浆液会被输送到晶圆表面，并且由于运输/处理问题、干燥和浆液分配系统内部的相互作用，可能含有大颗粒/团聚物（> 1 μ）。反过来，这些大颗粒会增加 CMP 工艺完成后在半导体晶圆表面发现的缺陷（划痕）水平。通过使用泥浆过滤，这些大颗粒可以在再循环回路或使用点（POU）中有效去除。回路过滤或再循环过滤试图从浆料中去除大颗粒，因为浆液通过分配回路再循环，将浆液输送到工具。对于这些应用，通常使用 0.3 到 5 微米的过滤器，建议流速为 1 到 3 GPM。POU 过滤试图在浆液分配到抛光垫上或附近捕获大颗粒。POU 应用的流速不应超过 0.5 到 2.5 GPM。两种过滤方法在过滤器失效之前可以过滤的浆液量和可以过滤的颗粒的大小方面都有权衡取舍。