Planarización química mecánica

La planarización química mecánica (CMP) es un proceso de pulido que se utiliza para fabricar obleas para la industria de semiconductores. Requiere el uso de una herramienta de pulido y una lechada de pulido, que se deposita en la superficie de la oblea y puede contener partículas o aglomerados grandes (> 1 μ) como resultado de problemas de transporte y manipulación, el secado y las interacciones dentro de los sistemas de distribución de la lechada. Estas partículas grandes pueden, a su vez, aumentar el nivel de defectos (arañazos) en la superficie de la oblea semiconductora que se encuentran una vez finalizado el proceso de CMP. Mediante el uso de la filtración de purines, estas partículas grandes se eliminan eficazmente en el circuito de recirculación o en el punto de uso (POU). La filtración en bucle o por recirculación intenta eliminar las partículas grandes del purín a medida que este se recircula a través de un circuito de distribución que lleva el purín a las herramientas. Para estas aplicaciones, se suelen utilizar filtros de 0,3 a 5 micrones y se recomiendan caudales de 1 a 3 GPM. La filtración POU intenta capturar partículas grandes en o cerca del punto en el que la suspensión se dispensa sobre la almohadilla de pulido. Los caudales para las aplicaciones de POU no deben superar los 0,5 a 2,5 GPM. Ambos métodos de filtración tienen ventajas y desventajas en cuanto al volumen de lodo que se puede filtrar antes de que el filtro falle y el tamaño de las partículas que se pueden filtrar.