Planarisation mécano-chimique

La planarisation mécano-chimique (CMP) est un procédé de polissage utilisé pour fabriquer des plaquettes destinées à l'industrie des semi-conducteurs. Cela nécessite l'utilisation d'un outil de polissage et d'une suspension de polissage, qui sont acheminés jusqu'à la surface de la plaquette et peuvent contenir de grosses particules/agglomérats (> 1 μ) en raison de problèmes d'expédition/de manutention, de séchage et d'interactions au sein des systèmes de distribution du lisier. Ces grosses particules peuvent, à leur tour, augmenter le niveau de défauts (rayures) sur la surface de la plaquette semi-conductrice constatés une fois le processus CMP terminé. Grâce à la filtration du lisier, ces grosses particules sont éliminées efficacement soit dans la boucle de recirculation, soit au point d'utilisation (POU). La filtration en boucle ou par recirculation tente d'éliminer les grosses particules de la suspension lorsqu'elle est recirculée dans une boucle de distribution qui achemine la boue vers les outils. Pour ces applications, des filtres de 0,3 à 5 microns sont généralement utilisés et des débits de 1 à 3 GPM sont recommandés. La filtration POU tente de capturer les grosses particules au point où la suspension est distribuée sur le tampon de polissage ou à proximité de celui-ci. Les débits pour les applications POU ne doivent pas dépasser 0,5 à 2,5 gal/min. Les deux méthodes de filtration comportent des compromis concernant le volume de boue qui peut être filtré avant la défaillance du filtre et la taille des particules qui peuvent être filtrées.